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DowCorning推新型光刻胶面向32nm及以下节点

作者:  信息来源:SEMI  2008-6-26

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据Semiconductor International网站报道,为了满足32nm和22nm半导体制程的需要,材料供应商Dow Corning Electronics硅光刻方案组近日发布XR-1541 E-Beam Resist光刻胶。该款全新涂布式光刻胶可用于电子束光刻,还可用于无掩模光刻技术,最小精度可达6nm。Dow Corning硅光刻方案全球市场经理Jeff Bremmer表示,对于32nm及以下...

  据Semiconductor International网站报道,为了满足32nm和22nm半导体制程的需要,材料供应商Dow Corning Electronics硅光刻方案组近日发布XR-1541 E-Beam Resist光刻胶。

  该款全新涂布式光刻胶可用于电子束光刻,还可用于无掩模光刻技术,最小精度可达6nm。

  Dow Corning硅光刻方案全球市场经理Jeff Bremmer表示,对于32nm及以下制程,半导体制造最大的挑战是获得高分辨率。

  “目前,32nm节点的光刻在技术上和经济上都遇到了困难。”Bremmer在一份声明中表示,“这些创新性的新型光刻胶使研究人员可通过经济的方法直接将版图写入,并获得高分辨率,这能推进下一代光刻技术的发展。”

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