GaNHEMT三极管创造宽带宽下更高放大效率

作者：  信息来源:中电网  2008-6-25

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用于一般用途的军用和工业应用的CGH40090PP GaN HEMT微波三极管，与GaAs MEFET或Si LDMOSFET技术相比提升了在很宽带宽下优越的性能。器件在工业标准Gemini陶瓷-金属封装中由一对GaN HEMT三极管组成。...

　　用于一般用途的军用和工业应用的CGH40090PP GaN HEMT微波三极管，与GaAs MEFET或Si LDMOSFET技术相比提升了在很宽带宽下优越的性能。器件在工业标准Gemini陶瓷-金属封装中由一对GaN HEMT三极管组成。工作在平衡的500MHz-2.5GHz瞬时带宽考放大器，提供了的典型值为14 dB的小信号增益，在整个带宽下具有90W的CW输出功率和55%的效率。据称，一放大器在这一频率范围二环功率级为任何5：1带宽提供了业界最佳效率。

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