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Intel、AMD四核心芯片面积比较

作者:  信息来源:驱动之家  2007-7-7

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Intel最近又陆续透露了45nmPenryn处理器的不少消息,这里我们来看一下有关集成晶体管数量和核心芯片面积的问题,并与AMD的同类产品进行一下对比。45nmPenrynWolfdale原生双核心采用45nm工艺制造,将集成接近4亿个晶体管,二级缓存6MB,核心面积107平方毫米。由于Intel仍是继续采用双DIE拼接的方式制造四核心处理器,因此四核...

Intel最近又陆续透露了45nm Penryn处理器的不少消息,这里我们来看一下有关集成晶体管数量和核心芯片面积的问题,并与AMD的同类产品进行一下对比。
45nm Penryn Wolfdale原生双核心采用45nm工艺制造,将集成接近4亿个晶体管,二级缓存6MB,核心面积107平方毫米。由于Intel仍是继续采用双DIE拼接的方式制造四核心处理器,因此四核心版本的Penryn Yorkfield/Harpertown集成8.2亿个晶体管,二级缓存12MB,核心面积107×2=214平方毫米。
作为对比,目前的65nm Conroe Core 2 Duo双核心集成2.91亿个晶体管,二级缓存4MB,核心面积143平方毫米,Clovertown Xeon四核心则是6.81亿个晶体管,二级缓存8MB,核心面积143×2=286平方毫米。
Intel的第二代45nm处理器代号Gainstown,最多八个核心,不过还是双DIE设计,并集成内存控制器、进一步加大缓存容量,因此核心面积有所增大,预计双核心版本为191平方毫米。
AMD方面,K10 Barcelona Opteron采用65nm工艺,集成4.63亿个晶体管,二级缓存4MB。由于是原生四核心设计,而且晶体管数量较少,Barcelona的核心面积更小一些,只有283平方毫米。
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