安森美宣布将其先进的制造工艺技术扩大到HighQ硅-铜集成无源器件(IPD)的制造服务领域。与昂贵、超高性能的基于砷化镓-金工艺无源器件相比，这创新的8英寸晶圆技术比原来较低精密程度的硅-铜工艺成本更低，性能更高。安森美半导体的HighQIPD工艺技术是诸如不平衡变换器、耦合器和滤波器等无源器件制造的理想选择。安森美半导...
安森美宣布将其先进的制造
工艺技术扩大到HighQ硅-铜集成无源器件(IPD)的制造服务领域。与昂贵、超高
性能的基于砷化镓-金工艺无源器件相比，
创新的8英寸晶圆技术比原来较低精密程度的硅-铜工艺成本更低，性能更高。
安森美
半导体的HighQ IPD工艺技术
诸如不平衡变换器、耦合器和滤波器等无源器件制造的理想选择。对于便携和无线应用，高性能等于延
电池寿命。
安森美半导体制造服务总经理Rich Carruth说：“目前，为了向市场推出具有
价格竞争力的
电子消费品，设计
员在为板选择无源器件时只好牺牲性能。以砷化镓-金工艺制造的无源器件提供较好的性能，但是过高的总体制造成本限制了其用于
手机和其他无线产品。而典型的硅-铜工艺制造的无源器件比砷化镓无源器件制造成本低，只是性能稍逊。采用安森美半导体HighQ工艺制造的无源器件，为设计人员提供具价值的第三个选择——比普通硅-铜器件的Q值高，比砷化镓无源器件更具价格优势。”
工艺
位于美
的世界级安森美半导体200 mm制造厂采用的是IPD工艺。该厂具世界一流水平的原型和生产周期，高科技产品生产和故障分析设备和系统。
HighQ制造工艺制造出铜镀层厚实的
电感器、MIM 电容器(0.62 fF/um2) 以及 TiN 电阻器(9 ohms/square)，工艺成熟，将满足全部可靠性评估标准，显示了该方案的稳健。
加工温度-65°C/150°C
金属、Vias 和 MIM电容器上固有的稳定性
高温反位相（Op）寿命(150°C, 504 小时)
额定ESD：HBM, MM
IPD产品
Carruth表示：“安森美半导体已经为准备生产的客户以及需要定制产品设计方案的客户提供了HighQ™制造服务。我们快速的原型建立能力，使客户在短短6周即可完成硅设计到制造。”
HighQ制造工艺是不平衡变换器、滤波器和滤波器/耦合器等用于便携和无线应用产品的最佳选择。
安森美半导体目前正在开发HighQ™高带宽滤波器系列，用于在高速串行接口上降低电磁干扰（EMI）。样品将于今年夏季推出，计划在第四季度生产。
IPD 设计工具
安森美半导体为制造服务的客户提供用于IPD技术的设计组件，能够有效仿真的第一硅方案结果，并包含标准的Cadence™设计工具：
PCELL 生产器、Views等；
Cadence Assura DRC、LVS；
带有安捷伦ADS
模型的 Cadence RFDE 环境；
从布局到HFSS仿真环境全自动转化。
安森美半导体为潜在客户提供这套设计组件，帮助他们进行快速的建立原型。
更多技术信息，请访问 www.onsemi.com.cn，或联系Frank Myers(电邮地址：frank.myers@onsemi.com)。
