东芝面向手机以及摄像机等便携设备，上市了采用标准小型LSI封装的16GB的NAND闪存，并介绍说该产品达到了业界最大容量。通过在封装内层叠8枚基于56nm制造工艺的16Gbit芯片，实现了16GB的大容量。因此，用户无需再开发NAND闪存的各种控制功能（写入区块管理、纠错、驱动软件等）。东芝在16GB产品之前，已于07年4月开始样品供货...
东芝面向
手机以及摄像机等便携设备，上市了采用标准小型LSI封装的16GB的NAND闪存，并介绍说该产品达到了业界最大容量。将于2007年第2季度开始样品供货，07年12月开始量产供货。封装为169端子FBGA，外形尺寸为14.0mm×18.0mm×1.5mm。通过在封装内层叠8枚基于56nm制造
工艺的16Gbit芯片，实现了16GB的大容量。
在封装内，还内置了符合多媒体卡协会（MMCA）规定的存储卡规格“MMCAVer.4.2”的
控制器芯片。因此，用户无需再开发NAND闪存的各种控制功能（写入区块管理、纠错、驱动软件等）。
东芝在16GB产品之前，已于07年4月开始样品供货8GB产品，并将于07年第3季度开始量产。8GB产品的封装为169端子FBGA。外形尺寸为12.0mm×18.0mm×1.3mm，与16GB产品不同。另外，还将依次供货1GB、2GB以及4GB的产品。
关于用于便携设备的大容量NAND闪存，韩
三星
电子曾于07年3月发布了将NAND闪存和多媒体卡（MMC）控制器封装在1枚芯片中的“moviNAND”的8GB产品。今后三星将采用基于50nm工艺的16GBNAND闪存。
