美国飞索半导体（Spansion）宣布开发出了在1枚芯片上集成该公司的NOR闪存和ORNAND闪存的闪存架构“MirrorBitEclipseArchitecture”。在确保灵活性的同时增加了功能的集成度MirrorBitEclipseArchitecture“作为主存的一部分，同时具备可取代DRAM的NOR闪存以及用来存储音乐数据等的ORNAND闪存”（Nation）。此前，在一个封装内...
美
飞索
半导体（Spansion）宣布开发出了在1枚芯片上集成该公司的NOR闪存和ORNAND闪存的闪存架构“MirrorBit Eclipse Architecture”。
设想用于带有摄像头及音乐播放器等多媒体功能的
手机等。“目前已制成第1枚硅片”（飞索营销主管John Nation）。将在该公司位于日本福岛县会津若松的300mm晶圆厂“SP1”，采用65nm
工艺技术进行制造，从07年第3季度开始供应样品。
在确保灵活性的同时增加了功能的集成度
MirrorBit Eclipse Architecture“作为主存的一部分，同时具备可取代DRAM的NOR闪存以及用来存储音乐数据等的ORNAND闪存”（Nation）。此前，在一个封装内集成
两种
存储器的产品已经在手机中应用。
将两种存储器集成于1枚芯片，其优点主要
可以进一步降低成本。另一方面，还可省去选择NOR和ORNAND的容量组合的麻烦。这是
因为：芯片上配备有可
编程的微
控制器，通过改变设定数据就可调整NOR和ORNAND的可用容量的比例。
另外，微控制器嵌有“芯片功能自测程序（内建自测试，BIST），可降低工作测试的成本”（该公司）。
飞索将此次的开发定位于“Phase 1（第1阶段）”，把预定08年中期基于45nm技术的半导体生产称为“Phase 2（第2阶段）”。在Phase 2中，便可在1枚芯片上采用“MirrorBit Quad”技术。该技术可把MirrorBit单元的数据存储密度由2bit/单元增至4bit/单元，可使用于所需存储容量较大的用途。也可通过调整设定数据进行切换，“无论是2bit/单元还是4bit/单元，MirrorBit单元的结构均相同。只需调整电荷的大小和阈值
电压的数值，即可选择使用哪一个”
