安森美半导体推出下一代高速电信设备用浪涌保护器件系列

作者：信息来源:采购参考 2008-10-13

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全球领先的高性能、高能效硅解决方案供应商安森美半导体(ON Semiconductor)推出新的低电容晶闸管浪涌保护器件(TSPD)系列，专为保护下一代高速电信设备而设计。它们在工作电压范围内拥有小于3皮法(pF)的固有低差分电容，能够排除高速数据线路上的信号失真。安森美半导体新的TSPD系列还包括以高性价比SMB封装的市场领先的超低...

　　全球领先的高性能、高能效硅解决方案供应商安森美半导体(ON Semiconductor)推出新的低电容晶闸管浪涌保护器件(TSPD)系列，专为保护下一代高速电信设备而设计。新器件杰出地平衡小尺寸和高浪涌能力，同时维持低电容和低泄漏，先进电信产品的极佳组合。

　　NP0080、NP0120和NP0160低电容、低泄漏TSPD器件采用节省空间的TSOP-5封装，保护数字用户线路(DSL)芯片组和线路驱动器。虽然在正常电路工作期间它们本质上并不与工作，但在发生浪涌和静电放电(ESD)事件时它们发挥极佳的电路保护性能。它们在工作电压范围内拥有小于3皮法(pF)的固有低差分电容，能够排除高速数据线路上的信号失真。NP0xxx TSPD系列提供极佳保护，在发生8 x 20微秒(uS)浪涌事件时，具有大于50安(A)的电流承受能力。它们通常在接入和客户端设备(CPE)的DSL隔离变压器和DSL线路驱动器之间用作第三级保护。

　　安森美半导体新的TSPD系列还包括以高性价比SMB封装的市场领先的超低电容NP-MC系列。这器件系列具有低于30 pF的超低电容，用于额定电流100 A的器件，为设

　　计员在不同高速应用中提供替代气体放电管(GDT)的选择。由于具有超低的关态电容，NP-MC器件为VDS2+和T1/E1电路等高速设备提供微乎其微的信号失真。低额定关态电容转化为极低的差分电容，为所应用的电压或频率提供极佳的线性度。它们通常在DSL隔离变压器的线路端用作次级保护器。NP-MC系列器件包括NP0640SCMCT3G、NP0720SCMCT3G、NP0900SCMCT3G、NP1100SCMCT3G、NP1300SCMCT3G和NP1500SCMCT3G。